Descripción del título
"Propiedades electrónicas d...
The sp3s*d5 empirical tight-binding approach is used to study some properties of the electronic structure in a group of III-V zincblende semiconductors which are of most intersest to electronics and optoelectronics. Particularly, it is investigated the influence of [111] uniaxial strain upon these properties. We make use of a formulation based on the elasticity theory to properly derive the relative positions of the nearest neighbors in the lattice and, consequently, write down the set of four basis vectors centered at the anion. Special attention is paid to the inclusion of the internal deformation effect. We present the variation of the ?-, X- and L-related energy gaps and conduction band effective masses as functions of the uniaxial strain in the case of AlAs, GaAs, InAs, GaP. Comparison with experimental reports on indirect interband transitions in bulk GaP under compressive strain gives very good agreement between these reports and the calculated variation of X-related energy gap as a function of the strain
Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de notable interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111], haciendo uso de una formulación basada en la teoría de la elasticidad para establecer las posiciones relativas de los iones vecinos más próximos. Especial atención se presta a la inclusión del efecto de deformación interna de la red cristalina. Para cada material de los estudiados presentamos las dependencias de las brechas energéticas asociadas a los puntos ?, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tensión uniaxial en AlAs, GaAs, InAs y GaP. Asimismo, reportamos expresiones de ajuste para los valores de las masas efectivas de conducción en esos cuatro materiales. La comparación de la variación de la brecha de energía en X para el GaP, calculada con nuestro modelo, y recientes resultados experimentales para la transición indirecta entre la banda de huecos pesados y la banda X de conducción arroja una muy buena concordancia
Analítica
analitica Rebiun31869955 https://catalogo.rebiun.org/rebiun/record/Rebiun31869955 220812s2009 xx o 000 0 spa d (Revista) ISSN 2007-0705 S9M oai:dialnet.unirioja.es:ART0000368074 https://dialnet.unirioja.es/oai/OAIHandler 21 DGCNT S9M S9M dc "Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]: un enfoque según el método tight-binding: I. Arseniuros y Fosfuro de Galio" electronic resource] Universidad de La Salle Bajío 2009 Universidad de La Salle Bajío application/pdf Open access content. Open access content star The sp3s*d5 empirical tight-binding approach is used to study some properties of the electronic structure in a group of III-V zincblende semiconductors which are of most intersest to electronics and optoelectronics. Particularly, it is investigated the influence of [111] uniaxial strain upon these properties. We make use of a formulation based on the elasticity theory to properly derive the relative positions of the nearest neighbors in the lattice and, consequently, write down the set of four basis vectors centered at the anion. Special attention is paid to the inclusion of the internal deformation effect. We present the variation of the ?-, X- and L-related energy gaps and conduction band effective masses as functions of the uniaxial strain in the case of AlAs, GaAs, InAs, GaP. Comparison with experimental reports on indirect interband transitions in bulk GaP under compressive strain gives very good agreement between these reports and the calculated variation of X-related energy gap as a function of the strain Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de notable interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111], haciendo uso de una formulación basada en la teoría de la elasticidad para establecer las posiciones relativas de los iones vecinos más próximos. Especial atención se presta a la inclusión del efecto de deformación interna de la red cristalina. Para cada material de los estudiados presentamos las dependencias de las brechas energéticas asociadas a los puntos ?, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tensión uniaxial en AlAs, GaAs, InAs y GaP. Asimismo, reportamos expresiones de ajuste para los valores de las masas efectivas de conducción en esos cuatro materiales. La comparación de la variación de la brecha de energía en X para el GaP, calculada con nuestro modelo, y recientes resultados experimentales para la transición indirecta entre la banda de huecos pesados y la banda X de conducción arroja una muy buena concordancia LICENCIA DE USO: Los documentos a texto completo incluidos en Dialnet son de acceso libre y propiedad de sus autores y/o editores. Por tanto, cualquier acto de reproducción, distribución, comunicación pública y/o transformación total o parcial requiere el consentimiento expreso y escrito de aquéllos. Cualquier enlace al texto completo de estos documentos deberá hacerse a través de la URL oficial de éstos en Dialnet. Más información: http://dialnet.unirioja.es/info/derechosOAI | INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS STATEMENT: Full text documents hosted by Dialnet are protected by copyright and/or related rights. This digital object is accessible without charge, but its use is subject to the licensing conditions set by its authors or editors. Unless expressly stated otherwise in the licensing conditions, you are free to linking, browsing, printing and making a copy for your own personal purposes. All other acts of reproduction and communication to the public are subject to the licensing conditions expressed by editors and authors and require consent from them. Any link to this document should be made using its official URL in Dialnet. More info: http://dialnet.unirioja.es/info/derechosOAI Spanish Tight-binding materiales III-V estructura electrónica tensión uniaxial Tight-binding III-V materials electronic structure uniaxial strain text (article) Mora Ramos, Miguel E. cre Martín Mozo, J. Juan. cre Nova scientia, ISSN 2007-0705, Nº. 3, 2009-2010, pags. 66-96 Nova scientia, ISSN 2007-0705, Nº. 3, 2009-2010, pags. 66-96 Nova scientia, ISSN 2007-0705, Nº. 3, 2009-2010, pags. 66-96